目錄

• • 一.SRAM存儲單元結構
  • • （1）結構圖（雙譯碼X+Y）
    • （2）SRAM存儲單元工作原理
    • • 【1】寫過程
      • 【2】讀過程
      • 【3】保持過程
  • 二.靜態存儲器的結構
  • • （1）單譯碼結構
    • （2）雙譯碼結構
    • （3）采用雙譯碼的靜態存儲器結構
  • 三.例題

一.SRAM存儲單元結構

（1）結構圖（雙譯碼X+Y）

六管靜態存儲單元結構（每個管都處于飽和導通狀態或者截止狀態）

T1、T2為工作管，用來保存\存儲數據

T3、T4為負載管，用于為T1、T2提供電荷

T5、T6、T7、T8為門控管，用于控制開關

（2）SRAM存儲單元工作原理

X地址選通（行選通）

T5、T6管被打開，A、B與位線連通

Y地址選通（列選通）

T7、T8管被打開，A、B分別于I/O 和 非I/O 相連通

【1】寫過程

對于I/O=1時的結果分析：

當I/O=1時，A=1，此時T2處于飽和導通狀態，因為T2接地而且B與T2相連，所以B=0

當B=0時，T1與B相連，所以此時T1也為0，T1為0可以使A保持高電平的狀態，形成穩定的互鎖狀態

【2】讀過程

當A點讀入的值為1時，讀出結果即I/O結果也為1

當A點讀入的值為0時，讀出結果即I/O結果也為0

B點同理

注意： 不論是讀或寫，都要求X和Y譯碼線同時有效！

【3】保持過程

當X和Y撤銷后，由負載管T3、T4分別為T1、T2提供工作電流，保持此互鎖狀態。

二.靜態存儲器的結構

（1）單譯碼結構

若干個存儲單元通過存儲器的地址譯碼線來選通它的門控管

（2）雙譯碼結構

X的譯碼輸出作為這一行所有的行選通信號，Y的譯碼輸出作為這一列所有的列選通信號

（3）采用雙譯碼的靜態存儲器結構

上面提到的雙譯碼結構就是圖中的存儲單元陣列

X和Y的位數可能不相同，均需要通過驅動器進行擴大

還有控制電路，分為讀信號RD、寫信號WR和片選信號CS，當片選信號有效時才可以進行其他操作。

三.例題

(1) 某計算機字長16位，其存儲器容量為64KB，按字編址時，其尋址范圍是多少？

【1】存儲容量為64KB時，按字節編址的尋址范圍就是64KB
【2】當按字編址時，因為一個字有8位，所以結果為 64K × 8 / 16 = 32K

(2) 一個16K*32位的SRAM存儲芯片，其數據線和地址線之和為多少？

該存儲芯片為16K*32位，那么16K為2⁴×2¹⁰，即它需要的數據線為4+10=14根。此外它還需要32根地址線，所以數據線和地址線的總和為46。

(3) 一個16K*32位的SRAM存儲芯片，其內部采用位數相同的行列地址譯碼器，則其內部譯碼輸出線的總量為多少？

【1】16K的存儲單元需要的譯碼輸入線為：2⁴×2¹⁰即14位。
【2】因為它采取位數相同的行列地址譯碼器，所以行列各7位，那么需要的譯碼輸出線為 2⁷ + 2⁷ = 2⁸ 。即結果為2⁸。
【3】拓展：當采用單譯碼方式時，譯碼輸出線為 2⁴×2¹⁰ = 2¹⁴

總結

以上是生活随笔為你收集整理的静态存储器（SRAM）工作原理的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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