内存时序解密:选内存别再盲选
一、內(nèi)存時(shí)序到底是什么?
我是一枚電腦發(fā)燒友,對(duì)于內(nèi)存時(shí)序一直充滿好奇。所謂內(nèi)存時(shí)序,簡(jiǎn)單來說就是內(nèi)存讀寫數(shù)據(jù)所需的時(shí)間間隔。在選擇內(nèi)存條時(shí),我們經(jīng)常會(huì)看到一串?dāng)?shù)字如DDR3 1600 CL9-9-9-24,這些數(shù)字都代表著不同的內(nèi)存時(shí)序參數(shù)。接下來,我將通過親身體驗(yàn),帶你解開內(nèi)存時(shí)序的神秘面紗。
二、CL是內(nèi)存條的第一個(gè)密碼
在探索內(nèi)存時(shí)序的道路上,我首先遇到了CL這個(gè)神秘的密碼。CL即CAS Latency,表示列地址延遲時(shí)間,也就是CPU發(fā)出讀取命令后,需要等待多少個(gè)時(shí)鐘周期才能得到數(shù)據(jù)。我選擇了一根DDR3 1600 CL9的內(nèi)存條進(jìn)行測(cè)試。經(jīng)過實(shí)際測(cè)量,我發(fā)現(xiàn)當(dāng)CL值越小,讀取速度越快。所以在選購內(nèi)存條時(shí),記得要選擇較小的CL值哦!
三、其他參數(shù)也不能掉以輕心
當(dāng)然,除了CL值之外,還有其他幾個(gè)參數(shù)也非常重要。RCD、RP和RAS是內(nèi)存時(shí)序中的另外三個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。RCD表示行地址延遲時(shí)間,即在CPU發(fā)出讀取命令后,需要等待多少個(gè)時(shí)鐘周期才能開始讀取數(shù)據(jù)。RP表示預(yù)充電時(shí)間,即在CPU發(fā)出寫入命令后,需要等待多少個(gè)時(shí)鐘周期才能開始寫入數(shù)據(jù)。
總結(jié)
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