1 月 10 日消息，三星近日透露正積極研發一種新型內存，名為 LLW DRAM，意為低延遲寬 I / O (Low Latency Wide I / O) DRAM。據稱，這種內存將帶來超高帶寬、低延遲和超低功耗的完美結合。三星表示，LLW DRAM 特別適用于需要在設備上運行大型語言模型（LLM）的設備，但其廣泛的性能優勢也適用于各種客戶端工作負載。

LLW DRAM 是一種低功耗內存，擁有寬 I / O、低延遲特性，并擁有高達 128 GB/s 的帶寬（據推測是每個模塊或堆棧）。相比之下，一個 128 位 DDR5-8000 內存子系統可以提供類似的 128 GB/s 帶寬。同時，LLW DRAM 的另一個重要特性是其 1.2pJ / bit 的超低功耗，但三星并未透露其 LLW DRAM 在達到該功耗時的具體數據傳輸速率。

目前，三星并沒有透露太多關于 LLW DRAM 的細節，但該公司此前一直致力于探索寬接口內存技術（例如 GDDR6W）。外界推測，LLW DRAM 可能借鑒了 GDDR6W 的技術，使用 Fan-Out 晶圓級封裝 (FOWLP) 技術將多個 DRAM 器件集成到一個封裝中，以擴展接口并兼顧容量、性能和低功耗。

考慮到三星于 2022 年第二季度將 GDDR6W 標準化，并計劃將其用于人工智能、高性能計算加速器和客戶端 PC，LLW DRAM 可能定位于其他領域。考慮到該標準的低功耗特性，可以將其應用于具有 AI 功能的邊緣計算設備、智能手機、筆記本電腦，甚至汽車領域。

注意到，三星很少透露其新技術何時上市，但從其公開該技術的預期性能來看，其研發進程應該已經接近尾聲。

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總結

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