PVT - Corner?是什么

????????芯片在生產(chǎn)過程中，由于外界條件和生產(chǎn)條件的變化，比如PVT，可能會產(chǎn)生不同的誤差從而導(dǎo)致同一晶圓上不同區(qū)域上的芯片里的晶體管速度變快或者變慢，并因此產(chǎn)生corner概念。

兩種不同的PVT環(huán)境（BC/WC）：

• best case corner（BC）：timing-arc的時間最短
• worst case corner（WC）：timing-arc的時間最長

OCV模式，AOCV模式，POCV模式，LVF模式均是在不同PVT（不同corner）的基礎(chǔ)上添加derate。

為什么需要OCV（On-chip variation）

????????芯片里面使用很多個cell，只讀進(jìn)來一個庫，假定buffer分布在各個地方，只要input transition和output load一樣，在庫里查表，算出的cell ?delay一樣。?

????????但是由于工藝（P）、電壓（V）和溫度（T）在大芯片上的變化，延遲具有不確定性。

????????OCV考慮到芯片上 PVT 變化引起的延遲變化，從而提供更準(zhǔn)確的延遲估計(jì)。

OCV基本理念：

????????對launch, capture和data line上的cell或者net加一個固定的derate數(shù)值，使得setup和hold等時序約束比理想狀況更加悲觀從而能夠覆蓋部分實(shí)際生產(chǎn)中所產(chǎn)生的variation。

????????OCV在path上設(shè)置統(tǒng)一的derate，悲觀度較高。（derate數(shù)值是指對launch、capture、data line的cell或者net上添加一個比理想情況更為悲觀的倍數(shù)。）

舉例：?

針對setup，launch的derate統(tǒng)一設(shè)置為1.1，表示delay時間增加值原來的1.1倍，

capture的derate統(tǒng)一設(shè)置為0.9，表示delay時間變?yōu)樵瓉淼?.9倍。

從而使設(shè)計(jì)能夠覆蓋實(shí)際生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的variation。針對common path，利用cppr將悲觀量移除。

OCV發(fā)展：

?OCV分類：?

?AOCV

????????隨著工藝的發(fā)展，一條路徑處于不同的位置上，乘以系數(shù)，過于悲觀。當(dāng)一種cell處于同一條路徑，variation是相互抵消的。一個cell處于芯片不同位置所產(chǎn)生的差別，會跟這個cell所處路徑的深度（depth）級數(shù)、距離有關(guān)系，AOCV出現(xiàn)。

?????????AOCV在考慮到實(shí)際誤差并非統(tǒng)一值的情況下將余量值變成cell級數(shù)的函數(shù)，從而減少一定的設(shè)計(jì)悲觀量(Pessimism)。

????????在傳統(tǒng)OCV上引入了對路徑長度和整個路徑在物理上所跨越的距離的考慮。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，通過對一條line中cell在不同的邏輯深度時的仿真，以及基于前后級在物理中不同距離來得到一個更精確的derate值來進(jìn)行時序分析，而不是OCV傳統(tǒng)的粗放式的統(tǒng)一的derate。

AOCV derate table：

(1)path depth：基于cell在整條時序路徑中所處的深度或者級數(shù)來考慮derate

(2)path distance：基于路徑中cell或net跨越的物理距離來給出相應(yīng)的derate

POCV

????????又稱SOCV(Statistical On Chip Variation)。POCV將delay模擬成一個正態(tài)分布。每個cell的delay最高概率出現(xiàn)在 u周圍。整體落在區(qū)間內(nèi)的概率為99.7%。

后端基礎(chǔ)概念：各種OCV一網(wǎng)打盡（上篇）！

后端基礎(chǔ)概念：各種OCV一網(wǎng)打盡（下篇）！

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總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的VLSI Basic2——OCV的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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