近日，開始復習拉扎維這本經(jīng)典教材 ，無疑是我最喜歡鉆研的事情，剛剛看完第二章 MOS器件物理基礎(chǔ) 有兩個問題沒有解決 。

1）NMOS二極管通常通過一個P+歐姆區(qū)來實現(xiàn)兩個節(jié)的反偏，原理？?

2）VDS對與ID的影響通常被認為是“缺陷” ？

今日先將第二章習題做完 再回過頭解決這些問題

轉(zhuǎn)載于:https://www.cnblogs.com/xu9449/p/4506691.html

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的关于拉扎维 模拟CMOS集成电路设计 复习 CHAR 2的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

如果覺得生活随笔網(wǎng)站內(nèi)容還不錯，歡迎將生活随笔推薦給好友。