在工程應用中，如何去正確使用MOS管，我們從應用角度來介紹MOS管的使用及選型。

一，分類 ：mos管分為PMOS和NMOS管，分別有G--柵極 S 源極 D 漏極

原理圖中如何區分管腳：

G---柵極

S極(source)—源極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是源極

D極(drain)—漏極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨引線的

pmos管箭頭指示往出流，nmos管箭頭指示往里流

二. 開通關斷原理

1. Nmos的電流回路是從D流向S,導通條件為VGS有導通電壓, G電位高于S電位。

NMOS管適合源極接地的情況（低端驅動），柵極高電平即可導通，低電平關閉。

2.Pmos的電流回路是從S流向D,導通條件為VGS有導通電壓, S電位高于G電位。

PMOS管適合源極接VCC的情況（高端驅動），VGS小于一定值時導通。

若S極接電源，G-柵極低電平導通，高電平關閉。

3. pmos應用示例

? P13為高電平時，mos管Q1導通。? P13低電平時，VGS上電壓相等，Q1截止。

三 .MOS管的重要參數

1. VDS表示漏極與源極之間所能施加的最大電壓值。VGS表示柵極與源極之間所能施加的最大電壓值。

2. ID表示漏極可承受的持續電流值，如果流過的電流超過該值，會引起擊穿的風險。IDM表示的是漏源之間可承受的單次脈沖電流強度，如果超過該值，會引起擊穿的風險。

3..?RDS(ON)表示MOS的導通電阻，一般來說導通電阻越小越好，其決定MOS的導通損耗，導通電阻越大損耗越大，MOS溫升也越高。

4.gfs表示正向跨導，反映的是柵極電壓對漏源電流控制的能力，gfs過小會導致MOSFET關斷速度降低，關斷能力減弱，過大會導致關斷過快，EMI特性差，同時伴隨關斷時漏源會產生更大的關斷電壓尖峰。

5.?IGSS表示柵極驅動漏電流，越小越好，對系統效率有較小程度的影響。

6.VGS(th)表示的是MOS的開啟電壓(閥值電壓) ,NMOS:? ? ?Vg>Vs?>VGS(th)?

? ? ? ? PMOS: |Vg<Vs|>VGS(th)

? 在使用mos管進行大電流控制時，為了防止導通和關斷對電容充放電時間過長引起的器件發熱問題，驅動mos管柵極，使用推挽電路，可以快速對Ciss電容充電，放電，讓MOS管快速進入飽和區。

? ? ? Vout接mos管的柵極

2.兩個重要曲線?

2.1? ?pmos管轉移曲線

說明：vgs在負坐標，表示vgs為負，即Vg<Vs? ? ?|Vg-Vs |大于開啟電壓時，管子有電流ID流過，即導通。vgs在正坐標，vgs大于0.? Vg>Vs,管子截止，無ID電流.

2.2 NMOS管特性曲線? ?VG>VS大于開啟電壓，管子導通

?

3.PMOS管的常用電路，防反接電路

基本原理：

1. 當正向接通時，VIN通過PMOS管的寄生電容從D到S極，這是S極上有電壓，G極上的電壓是從分壓電阻上取得，Vg<Vs MOS管導通。

2.當電源接反時，Vg 上的電壓大于Vs, MOS管截止。

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總結

以上是生活随笔為你收集整理的MOS管应用详解的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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