12 月 28 日消息，據(jù) Tom's Hardware 報(bào)道，在本月舉行的 IEDM 2023 會(huì)議上，臺(tái)積電制定了提供包含 1 萬(wàn)億個(gè)晶體管的芯片封裝路線，這一計(jì)劃與英特爾去年透露的規(guī)劃類似。

當(dāng)然，1 萬(wàn)億晶體管是來(lái)自單個(gè)芯片封裝上的 3D 封裝小芯片集合，但臺(tái)積電也在致力于開發(fā)單個(gè)芯片 2000 億晶體管。

為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，該公司重申正在致力于 2nm 級(jí) N2 和 N2P 生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)，以及 1.4nm 級(jí) A14 和 1nm 級(jí) A10 制造工藝，預(yù)計(jì)將于 2030 年完成。

此外，臺(tái)積電預(yù)計(jì)封裝技術(shù)（CoWoS、InFO、SoIC 等）將不斷取得進(jìn)步，使其能夠在 2030 年左右構(gòu)建封裝超過 1 萬(wàn)億個(gè)晶體管的大規(guī)模多芯片解決方案。

據(jù)此前報(bào)道，臺(tái)積電在會(huì)議上還透露，其 1.4nm 級(jí)工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開。同時(shí)，臺(tái)積電重申，2nm 級(jí)制程將按計(jì)劃于 2025 年開始量產(chǎn)。

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總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的台积电首提 1nm A10 工艺，计划到 2030 年实现 1 万亿晶体管的单个芯片封装的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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