pSRAM與SRAM相比,PSRAM采用的是1T+1C的技術(shù),所以在體積上更小,同時,PSRAM的I/O接口與SRAM相同.PSRAM就是偽SRAM，內(nèi)部的內(nèi)存顆粒跟SDRAM的顆粒相似，但外部的接口跟SDRAM不同，不需要SDRAM那樣復(fù)雜的控制器和刷新機(jī)制，PSRAM的接口跟SRAM的接口是一樣的。PSRAM 內(nèi)部自帶刷新機(jī)制。PSRAM容量有4Mb,8Mb,16Mb,32Mb，64Mb, 128Mb等等。下面介紹一款型號為EMI108NA16LM的國產(chǎn)8mb psram。

EMI108NA16LM該器件是使用DRAM型存儲單元的完整COMS SRAM，但是該器件具有無刷新操作和極低的功耗技術(shù)。此外該接口與低功耗異步型SRAM兼容。其工藝技術(shù)采用全CMOS,位寬512K x 16，電源電壓范圍為2.7~3.3V，三態(tài)輸出和TTL兼容，包裝類型采用48-FBGA-6.00x8.00毫米，分離的I/O電源（VCCQ）和核心電源（VCC），取消選擇時自動關(guān)機(jī)。

總結(jié)

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