目錄

晶體管的結構和符號

晶體管的放大原理

晶體管的共射輸入特性和輸出特性

1、輸入特性

2、輸出特性

3、晶體管的三個工作區域

溫度對晶體管特性的影響

主要參數

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晶體管的結構和符號

孔的作用：散熱或便于安裝散熱器。

晶體管有三個極、三個區、兩個PN結。發射區的多子濃度高；基區的多子濃度很低，且很薄；集電區面積大。

發射結箭頭的方向代表發射結正偏電流的方向。

晶體管的放大原理

放大的條件：（發射結正偏）；，即（集電結反偏）。

因發射區多子濃度高使大量電子從發射區擴散到基區（，發射結正偏，加劇擴散運動）。因基區薄且多子濃度低，使極少數擴散到基區的電子與空穴復合（）。因集電區面積大，大部分從發射區擴散到基區的電子在外電場作用下漂移到集電區，被集電極收集形成集電極電子電流（，集電結反偏，加劇漂移運動）。

主流部分：擴散運動形成發射極電流，復合運動形成基極電流，漂移運動形成集電極電流。

支流部分：基區的空穴向發射區擴散，形成空穴電流。漂移運動是雙向的，集電結少數載流子（集電區少子——空穴、基區少子——自由電子）因擴散運動形成了集電結的反向飽和電流。

電流分配：

直流電流放大系數：

交流電流放大系數：

集電結反向電流：

穿透電流：（基極開路，此時仍有發射結正偏，集電結反偏，穿透電流的大小與集電結單向導電性的性能好壞有關，是衡量三極管質量的一個重要參數）

晶體管的共射輸入特性和輸出特性

基本共射放大電路

1、輸入特性

，集電極和發射極之間短路，此時晶體管等效于一個PN結，所以輸入特性像PN結的伏安特性。

增大，集電結收集電子的能力增強，若想要保持不變，則發射結需要發射更多的電子，即要增大。

增大到一定程度，集電結收集電子的數目增大的不明顯，從外部看，增大到一定值，曲線右移就不明顯了。因此，對于小功率晶體管，大于1V的一條輸入特性曲線可以取代大于1V的所有輸入特性曲線。

2、輸出特性

，不是常數，當特別小或特別大時，會減小。

理想晶體管：沒有穿透電流，處處相等，此時。

3、晶體管的三個工作區域

b、e之間的電壓，判斷晶體管是導通還是截止；導通后，還要判斷是放大還是飽和。飽和還是放大，從兩個角度去判斷：與之間的關系，是否大于（使得晶體管剛飽和時注入到基極的電流），如果是放大，則；從管壓降的角度，當，晶體管截止，放大時，發射結正偏，集電結反偏，c點的電位>b點的電位>e點的電位，當c點的電位=b點的電位，稱此時的晶體管處于臨界放大狀態或臨界飽和狀態，如果c點的電位<b點的電位，則晶體管飽和。當集電結零偏，則晶體管進入飽和區。

狀態
截止
放大
飽和

晶體管工作在放大狀態時，輸出回路的電流幾乎僅僅決定于輸入回路的電流，即可將輸出回路等效為電流控制的電流源。?

溫度對晶體管特性的影響

?T（℃）升高——>載流子更活潑，、增大，增大——>不變時增大，即不變時減小

溫度升高，導致集電極的電流增大。

主要參數

直流參數：、、、

交流參數：（隨著頻率增加而下降，使的信號頻率）、、

極限參數：（最大集電極電流，當集電極電流增大到一定程度時，就要下降，當值下降到線性放大區值的2/3時對應的最大集電極電流；當時，并不代表三極管會損壞，只是管子的放大倍數降低）、

（最大集電極耗散功率，發射結正偏，呈低阻，因而功耗主要集中在集電結上，計算時往往用取代）、

反向擊穿電壓（最大反向電壓）：O代表Open，表示開路；S代表Short，表示短路；R代表Resistance，表示電阻。，

?

晶體三極管的安全工作區

總結

以上是生活随笔為你收集整理的模拟电子技术基础笔记（4）——晶体三极管的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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