模拟电路笔记(二)晶体三极管及放大电路
模擬電路筆記(二)晶體三極管及放大電路
- 三極管的基本知識
- 三極管的輸出特性曲線
- 1、三個(gè)極限參數(shù)
- 放大電路
- 三極管構(gòu)成的放大電路
- 性能指標(biāo)
- 靜態(tài)工作點(diǎn)
- 1、固定偏置放大電路
- 2、分壓式偏置放大電路
- 多級耦合方式
三極管的基本知識
三極管是電流控制器件,用較小的基極電流控制較大集電極電流
三極管由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成,發(fā)射極e (Emitter)、基極b (Base)、集電極c (Collector)。
據(jù)基爾霍夫定律:Ie = Ic + Ib
由于不同的組合方式,形成了一種是NPN型的三極管,另一種是PNP型的三極管。
三極管的輸出特性曲線
基極電流Ib一定時(shí),三極管輸出電壓Uec與輸出電流Ic之間的關(guān)系曲線
放大狀態(tài)
發(fā)射結(jié)正向偏置,而集電結(jié)反向偏置。
當(dāng)Ib變化時(shí),Ic即按比例變化,在放大電路中,必須使用三極管工作在放大區(qū)。
B= Ic / Ie
飽和狀態(tài)
發(fā)射結(jié)和集電結(jié)正偏
Uec的數(shù)值小,Ic隨Uec的增加而很快的增大。管子相當(dāng)于一個(gè)開關(guān)的接通狀態(tài),短路。
截止?fàn)顟B(tài)
發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都反偏
當(dāng)Ib=0時(shí),Ic=Iceo(稱為穿透電流),相當(dāng)于管子相當(dāng)于一個(gè)開關(guān)的開路狀態(tài)。
過損耗區(qū)
三極管耗散功率太大,易發(fā)熱損壞
1、三個(gè)極限參數(shù)
- 反向擊穿電壓Uceo:Uce < Uceo
- 集電極最大允許電流Icm
- 最大耗散功率Pcm
放大電路
- 構(gòu)成放大電路的條件
放大元件是三極管,要求工作在放大區(qū),并能夠?qū)π盘栠M(jìn)行不失真放大。
直流通路:電容開路,電感短路
交流通路:電容短路,電感開路
三極管構(gòu)成的放大電路
| 輸出與輸入電壓 | 反相 | 同相 | 同相 |
| 電壓放大倍數(shù) | 高 | 高 | 低(小于1) |
| 輸入電阻 | 適中(小) | 小 | 大 |
| 輸出電阻 | 大 | 大 | 小 |
共同點(diǎn):功率P放大
共集電路:帶功率好一些,稱為射級輸出器 / 射級跟隨器
性能指標(biāo)
- 電壓放大倍數(shù): Au=Uo / Ui = B?(ro / rbe)
- 功率放大倍數(shù): Ap=Po / Pi
- 輸入電阻:ri=Ui / Ii (越大越好)
- 輸出電阻:ro (越小越好)
- 通頻帶:0.707倍,FBW = FH-FL
靜態(tài)工作點(diǎn)
- 放大器 無輸入信號的時(shí)叫靜態(tài),就是放大去的直流工作狀態(tài)
- 為什么要設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)?
為了保證輸入交流信號能夠不失真的放大
1、固定偏置放大電路
Ec = IBQ?Rb + UBEQ IBQ = Ec-UBEQ / Rb ICQ = IBQ?放大倍數(shù)B UCEQ = Ec-ICQ?RC rbe = 300+(1+B)?(26mv/IEQ) ri = Rb//rbe = (Rb?rbe) / (Rb+rbe)固定偏置直流通路
固定偏置交流通路
2、分壓式偏置放大電路
VB = Rb1/(Rb1 + Rb2) ? EC ICQ = (VB-UBEQ) / Re IEQ ≈ ICQ IBQ = ICQ / B UCEQ = Ec-ICQ(Rc+Re)分壓式偏置直流通路
多級耦合方式
放大器間耦合都有零飄,放大器級數(shù)越多,總通頻帶就越窄
優(yōu)點(diǎn):電路簡單
缺點(diǎn):只能在本級,耦合交流信號,頻率低,不便于集成
優(yōu)點(diǎn):獨(dú)立
缺點(diǎn):笨重,成本高,不能集成.只能在本級
優(yōu)點(diǎn):可以放大緩慢的交流,直流信號
缺單:傳遞零點(diǎn)漂移
總結(jié)
以上是生活随笔為你收集整理的模拟电路笔记(二)晶体三极管及放大电路的全部內(nèi)容,希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。
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