33. DDR2内存内部结构-2
生活随笔
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33. DDR2内存内部结构-2
小編覺得挺不錯的,現在分享給大家,幫大家做個參考.
此處,從時序的角度再次分析這個電路,這里主要是這些t參數
第一步:Precharge,先要把bitline,bitline反,SAN,SAP全都置成1/2Vcc,此時sense電路不公正,電壓均衡電路工作
第二步:Access,Prechage完成之后,wordline開始打開,這一列選通,列選通以后,進入Bank Access的階段,Bank開始數據輸出,輸出到Vref。此階段,電壓均衡電路不工作。該階段/access,位里面的少量的電容被加到bitline,bitline電壓開始升高,變成Vref+,這樣會導致Sensing電路不平衡,從而導致SAN有1/2Vcc向負的方向偏移,SAP向正的方向偏移。
第三步:sense,由于Vref+升高了一點點,導致sense電路的兩個場效應管不平衡,SAN有1/2Vcc向負的方向偏移,SAP向正的方向偏移,正式進入sense階段。
與前一階段access過程合起來,稱為tRCD。
在SAN下降,SAP升高的同時,bitline這根線也在升高,到第三步結束的時候,
總結
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