[初級知識]如何正確nandflash的塊地址和頁地址

2016年09月07日 16:13:42閱讀數：1891

結論

• 塊地址 從1開始，其范圍位于1~2048(以2Gb nandflash為例)
• 頁地址 從0到63， 其范圍位于0~63(以2Gb nandflash為例)

背景

對于初次接觸nandflash的新手而言，不管是做裸機的驅動還是復雜的Linux下的nand驅動，能看懂nandflash的數據手冊中給出的時序圖，已經是不錯的，但要想正確的去實現功能，恐怕是還是有一道攔路虎的，當然，弄懂了，就一紙老虎，這老虎就是我們要說的 nandflash操作中的塊地址跟頁地址的正確設置。

塊地址

nandflash中有塊和頁的概念，常見的表述如，

nandflash的大小=塊總數x每塊的頁總數x每頁的大小

這里的塊大小和頁大小，均會在相應的數據手冊中查到，那么，我們關系的擦除、讀寫這幾個重要的操作而言，其中的塊地址該如何計算而來？

比如說，我們常在控制臺上用nand erase addr size,而這個命令通常是直接傳入addr,我們怎么從addr中解析出塊地址呢？下面給出一份正確的實現代碼

int addr = 0x0ffc0000 ; int block_addr = 0; int page_size = 2048; int page_count_per_block= 64;block_addr = addr/(page_size*page_count_per_block) ; //小問號認為按照這句命令的理解：塊地址就是塊數， //求得塊的數量就是塊的地址，這個數量是一個塊的總數量， //塊總數量等于塊的最大數，并且把最大塊數定為塊地址， //這與我們平常理解的定義地址一般是最小數（值）有些不 //同，這一點要注意這一點。

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有的時候，我們看網上有的人說，nandflash的塊地址等于頁地址，其實這句話說的是有前提條件的，那就是第0塊第0頁的時候滿足這個說法，其他的一概不滿足

頁地址

還是用上面的nand erase addr size,而這個命令通常是直接傳入addr,我們怎么從addr中解析出頁地址呢？下面給出一份正確的實現代碼

int addr = 0x0ffc0000 ; int block_addr = 0; int page_size = 2048; int page_addr = 0;page_addr = addr/page_size; //小問號同樣認為，此語句可以理解為頁地址就是在給定Nand的某個地址后，求得頁的數量就是 //頁的地址，這個數量是一個頁的總數量，總數量等于頁的最大數，并且把最大頁數定為頁地址， //這與我們平常理解的定義地址一般是最小數（值）有些不同，要注意這一點。

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有的時候，我們看網上有的人說，nandflash的塊地址等于頁地址，其實這句話說的是有前提條件的，那就是第0塊第0頁的時候滿足這個說法，其他的一概不滿足

實現nandflash的擦除

給出的已知條件為要擦除的地址，以及大小，要去實現擦除的偽代碼?
- 頁大小page_size?
- 每塊的頁總數page_count_per_block

int nand_erase_one_block(int addr, int size) {int page_addr = 0;page_addr = addr/(page_size);偽代碼：reset_nand（）；write_erase_cmd();write_addr(page_addr&0xff);write_addr(page_addr>>8&0xff);write_addr(page_addr>>16&0xff); write_erase_cmd();wait_dev_ready();check_nand_erase_stat(); }

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有人或許會很好奇，你這寫法為什么跟我在數據手冊上看到的不一樣，數據手冊明明跟這不一樣，而且你這種寫法如何對得上數據手冊中的地址周期值呢？我們不妨先解決這個疑問，用數據手冊上的地址周期寫法來實現一組代碼，我們就按照下面的5個地址周期的數據手冊寫法來實現一組：?

因為我們都知道，在擦除程序時，只需要寫三個行地址(為啥？因為數據手冊的擦除時序圖要求的，不會的看下面這張圖)?

int nand_erase_one_block(int addr, int size) {int block_addr = 0;block_addr = addr/(page_size*page_count_per_block);偽代碼：reset_nand（）；write_erase_cmd();write_addr((block_addr << 6) & 0xff);//按照5個地址周期值，我們來填充數據write_addr((block_addr >> 2) & 0xff);write_addr((block_addr >> 10) & 0x01); write_erase_cmd();wait_dev_ready();check_nand_erase_stat(); }

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以上這兩種實現方法其實大同小異，第一種方法是用page_addr來實現的，而第二種方法是用block_addr的方法實現的，這兩種方法實現其實是一模一樣的，并沒有什么差別。（小問號認為這里為何出現了頁擦除和塊擦除兩種方法？，老師不是講擦除只能是塊擦除嗎？）

總結

以上是生活随笔為你收集整理的如何正确nandflash的块地址和页地址的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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