大家好，我是寫代碼的籃球球癡，轉(zhuǎn)一篇我朋友記得誠(chéng)的文章

本文轉(zhuǎn)載來自一位基帶大佬，解決問題的思路很重要。

原文鏈接：

https://blog.csdn.net/AirCity123/article/details/104428325?spm=1001.2014.3001.5502

某手機(jī)的充電架構(gòu)如下，主Charger用的是高通MSM8953平臺(tái)套片的PMI8952，輔Charger用的是TI的BQ25898C。

兩個(gè)Charger可以單獨(dú)工作，也可以同時(shí)工作，分開放置的目的是更好的散熱。

當(dāng)BQ25898單獨(dú)工作時(shí)，軟件設(shè)置電流超過1.5A時(shí)，實(shí)測(cè)進(jìn)入電池的電流總是比設(shè)置的值少。結(jié)果如下：

經(jīng)交叉驗(yàn)證，此IC換到TI的EVB上，電流誤差都在要求以內(nèi)，IC本身沒問題。

排查寄存器配置，軟件反饋也沒有問題。

此后把注意力放在PCB Layout上。下面是BQ25898C的內(nèi)部架構(gòu)圖，Q4的存在證明了這個(gè)充電IC是一個(gè)帶電源路徑管理的IC。

把Q4部分放大，能看到這個(gè)IC是通過檢測(cè)經(jīng)過Q4的電流來判斷設(shè)置電流是否正確的，那么如何得知Q4的電流呢？

BQ25898C的Q4其實(shí)是由5個(gè)并聯(lián)的MOS組成，每個(gè)MOS是一個(gè)充電通道，當(dāng)設(shè)置充電電流為1.5A以下時(shí)，通道的阻抗為28mohm，當(dāng)設(shè)置為1.5A以上時(shí)，通道阻抗為8mohm；芯片內(nèi)部只檢測(cè)這5個(gè)通道中最中間的那個(gè)通道的電流，是否正常。

當(dāng)時(shí)手機(jī)項(xiàng)目的走線情況如下：

可以看到這5個(gè)通道分別占用了5對(duì)Pad，這個(gè)走線并不好，因?yàn)榭紤]到走線的阻抗，最上面的MOS的電流通路阻抗最小，最下面的MOS電流通路阻抗最大。我們對(duì)走線阻抗做如下假設(shè)：

圖中計(jì)算的并聯(lián)阻抗是從第一通道看進(jìn)去，計(jì)算出的阻抗。

BQ25898是根據(jù)通道3兩端的電壓來判斷，實(shí)際電流值與設(shè)置電流值是否一致。比如寄存器設(shè)置充電電流是1.5A，那么只要檢測(cè)到通道3的電流是0.3A，芯片就認(rèn)為正常。

當(dāng)通道3電流是0.3A時(shí)，另外幾個(gè)通道的電流計(jì)算如下：

從通道3的兩個(gè)pad看出去，通道2和4的阻抗是一樣的，通道1和5的阻抗是一樣的。

通道2和4的電流=0.3Ax8/10=0.24A；

通道1和5的電流=0.3x8/12=0.2A；

所有通道電流之和=0.3A+0.24x2+0.2Ax2=1.18A。

很顯然，實(shí)際電流不等于設(shè)置電流。

所以說，這個(gè)問題的根本原因是PCB Layout導(dǎo)致，BQ25898C的VSYS和VBAT的走線不好，沒有讓5個(gè)通道的MOS的電流路徑對(duì)稱。

解決方案如下：

1、Vbat和Vsys的PIN鋪一大塊銅皮，并且加厚，減小阻抗。

2、保證每個(gè)通道的阻抗是對(duì)稱的。

今天的文章內(nèi)容到這里就結(jié)束了，希望對(duì)你有幫助，我們下一期見。

---

推薦閱讀：

專輯|Linux文章匯總

專輯|程序人生

專輯|C語言

我的知識(shí)小密圈

關(guān)注公眾號(hào)，后臺(tái)回復(fù)「1024」獲取學(xué)習(xí)資料網(wǎng)盤鏈接。

歡迎點(diǎn)贊，關(guān)注，轉(zhuǎn)發(fā)，在看，您的每一次鼓勵(lì)，我都將銘記于心~

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的手机充电IC设置电流与实测电流不一致问题剖析的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

如果覺得生活随笔網(wǎng)站內(nèi)容還不錯(cuò)，歡迎將生活随笔推薦給好友。