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3 月 19 日消息，據廈門大學物理學系官方消息，近日，廈門大學成功實現了 8 英寸（200 mm）碳化硅（SiC）同質外延生長，成為國內首家擁有并實現該項技術的機構。

據介紹，作為第三代半導體的主要代表之一，碳化硅與硅相比，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率，其在高溫、高壓、高頻領域表現出色。基于碳化硅的電力電子器件已廣泛地應用于航空航天、新能源汽車、軌道交通、光伏發電、智能電網等領域。

當前主流的碳化硅單晶與外延生長還處于 6 英寸階段，擴大尺寸成為產業鏈降本增效的主要路徑，然而在邁向 8 英寸過程中還存在諸多技術難題。

廈門大學科研團隊負責人表示，通過克服了 8 英寸襯底應力更大、更易開裂、外延層厚度均勻性更難控制等問題，成功實現了基于國產襯底的碳化硅同質外延生長。外延層厚度為 12 um，厚度不均勻性為 2.3 %；摻雜濃度為 8.4×101? cmˉ3，摻雜濃度不均勻性＜7.5 %；表面缺陷（Carrot、Triangle、Downfall、Scratch）密度＜ 0.5 cmˉ2。

上述科研團隊負責人表示，本次突破，標志著我國已掌握 8 英寸碳化硅外延生長的相關技術。該技術的實現，是廈門大學與瀚天天成電子科技 (廈門) 有限公司等單位產學研合作的成果，將為我國碳化硅產業的發展注入新的動力，同時推動新能源等相關領域的發展。

查詢獲悉，廈門大學物理學科始創于 1923 年，是中國高校較早設立的物理學科之一，在中國物理學發展史上扮演了重要角色。廈大物理曾參與中國第一個五校聯合半導體專門化；研制出了中國第一塊導電玻璃、第一臺晶體管收音機、第一個磷化鎵平面發光二極管。

總結

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