內(nèi)存時序1t和2t的差別：

1T擁有較少的延遲，較佳的系統(tǒng)內(nèi)存效能。卻較差的兼容性。適合您的DIMM未插滿時。
2T擁有較久的延遲、差很多的系統(tǒng)內(nèi)存較能。較高的兼容性、穩(wěn)定性。適合您的DIMM已全部插滿時。

擴展資料：

內(nèi)存時序（英語：Memory timings或RAM timings）是描述同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM）性能的四個參數(shù)：CL、TRCD、TRP和TRAS，單位為時鐘周期。它們通常被寫為四個用破折號分隔開的數(shù)字，例如7-8-8-24。第四個參數(shù)（RAS）經(jīng)常被省略，而有時還會加入第五個參數(shù)：Command rate（命令速率），通常為2T或1T，也寫作2N、1N。這些參數(shù)指定了影響隨機存取存儲器速度的潛伏時間（延遲時間）。較低的數(shù)字通常意味著更快的性能。決定系統(tǒng)性能的最終元素是實際的延遲時間，通常以納秒為單位。

當(dāng)將內(nèi)存時序轉(zhuǎn)換為實際的延遲時，最重要的是注意它是以時鐘周期為單位。如果不知道時鐘周期的時間，就不可能了解一組數(shù)字是否比另一組數(shù)字更快。

舉例來說，DDR3-2000內(nèi)存的時鐘頻率是1000 MHz，其時鐘周期為1 ns。基于這個1 ns的時鐘，CL=7給出的絕對延遲為7 ns。而更快的DDR3-2666（時鐘1333 MHz，每個周期0.75 ns）則可能用更大的CL=9，但產(chǎn)生的絕對延遲6.75 ns更短。

現(xiàn)代DIMM包括一個串行存在檢測（SPD）ROM芯片，其中包含為自動配置推薦的內(nèi)存時序。PC上的BIOS可能允許用戶調(diào)整時序以提高性能（存在降低穩(wěn)定性的風(fēng)險），或在某些情況下增加穩(wěn)定性（如使用建議的時序）。

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總結(jié)

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