1 月 19 日消息，據(jù) DIGITIMES 研究報告，隨氮化鎵 (GaN) 通訊元件于工藝及磊晶技術(shù)持續(xù)精進(jìn)，將由現(xiàn)行散熱較佳的碳化硅基氮化鎵 (GaN on SiC) 結(jié)構(gòu)，朝著即將試產(chǎn)的 GaN on GaN 及磊晶質(zhì)量改善后的硅基氮化鎵 (GaN on Si) 架構(gòu)發(fā)展，以支持后續(xù) 6G 網(wǎng)絡(luò)通訊在低軌衛(wèi)星及智能手機(jī)等場景應(yīng)用。再者，因 6G 網(wǎng)絡(luò)將整合 4G 與 5G 通訊的云端及邊緣運(yùn)算能力，并提供更寬廣的 6G 網(wǎng)絡(luò)頻段、資料傳輸率及傳輸范圍，亦有望推升 GaN 通訊元件于高頻及高功率環(huán)境下的終端需求。（磊晶，Epitaxy 是指一種用于半導(dǎo)體器件制造過程中，在原有晶片上長出新結(jié)晶，以制成新半導(dǎo)體層的技術(shù)）

由于通訊網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的不斷升級，從原先單純語音傳輸?shù)?2G 到現(xiàn)行復(fù)雜物聯(lián)網(wǎng)的 5G、再至未來整合多元傳感器的 6G 網(wǎng)絡(luò)，將提供人們更加便捷的通訊生活。6G 網(wǎng)絡(luò)無論于頻譜效率、通訊能效及數(shù)據(jù)傳輸率等皆更勝 5G，且 6G 擁有更寬廣的網(wǎng)絡(luò)頻段與可支持非地面通訊 (Non-Terrestrial Network；NTN)，有望拉抬 GaN 通訊元件于 6G 網(wǎng)絡(luò)生態(tài)系的滲透比例。

了解到，GaN 通訊元件因高頻及高功率的材料特性，適合在如基站內(nèi)的功率放大器 (Power Amplifier；PA) 等嚴(yán)苛的工作環(huán)境操作。現(xiàn)行 GaN 通訊元件結(jié)構(gòu)多數(shù)以散熱條件較佳的 GaN on SiC 異質(zhì)磊晶結(jié)構(gòu)為主。DIGITIMES Research 認(rèn)為，未來隨同質(zhì) GaN on GaN 元件接續(xù)問世及 GaN on Si 磊晶質(zhì)量獲得改善，其將漸應(yīng)用于 6G 網(wǎng)絡(luò)通訊于低軌衛(wèi)星及智能手機(jī)等終端場景。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的研究机构：6G 网络将延伸至非地面通讯，推升 GaN 通讯元件新需求的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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