IP核之RAM

原理圖如下
DINA： RAM 端口 A 寫數據信號。
ADDRA： RAM 端口 A 讀寫地址信號，對于單端口 RAM 來說，讀地址和寫地址共用同該地址線。
WEA： RAM 端口 A 寫使能信號，高電平表示向 RAM 中寫入數據，低電平表示從 RAM 中讀出數據。
ENA：端口 A 的使能信號，高電平表示使能端口 A，低電平表示端口 A 被禁止，禁止后端口 A 上的讀
寫操作都會變成無效。另外 ENA 信號是可選的，當取消該使能信號后， RAM 會一直處于有效狀態。
RSTA： RAM 端口 A 復位信號，可配置成高電平或者低電平復位，該復位信號是一個可選信號。
REGCEA： RAM 端口 A 輸出寄存器使能信號，當 REGCEA 為高電平時， DOUTA 保持最后一次輸出
的數據， REGCEA 同樣是一個可選信號。
CLKA： RAM 端口 A 的時鐘信號。
DOUTA： RAM 端口 A 讀出的數據

RAM讀寫模塊

`timescale 1ns / 1psmodule ram_rw(input clk,

總結

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