《手把手教你学DSP》总结1
1.開始學習時不要糾結(jié)DSP的具體結(jié)構(gòu)，大體了解有哪些功能模塊即可，DSP的工作原理不是重點，在后期使用時再詳細弄懂所需結(jié)構(gòu)的詳情
2.C2000系列即TMS320C2000包括F24XX，C28XX，F28XX為低端型號，C5000系列面向低功耗，C6000系列面向高性能
3.TI的DSP型號含義
例如：
TMS320F2812PGFA
??例如：TMS320F2812PGFA
1.前綴：TMX=實驗器件 ； TMP=原型器件 TMS=合格器件 ?
2.系列號：320=TMS320系列 ?
3.引導加載選項：（B） ?
4.工藝： ?
C=COMS ?
E=COMS ?；EPROM ?
F=Flash ； EEPROM ?
LC=低電壓CMOS（3.3V） ?
LF=Flash ； EPROM（3.3V） ?
VC=低電壓CMOS（3V） ?
5.器件類型： ?
20x DSP ?
24x DSP ?
54x DSP ?
55x DSP ?
62x DSP ?
64x DSP ?
67x DSP ?
3X DSP ?
6.封裝類型： ?
PAG=64 -引腳塑料TQFP ?
PGE=144 -引腳塑料TQFP ?
PZ=100 -引腳塑料TQFP ?
7.溫度范圍：（默認0°C-70°C） ?
L=0°C~70°C ?
A=-40°C~85°C ?
S=-40°C~125°C ?
Q=-40°C~85°C,Q100 Fault Grading ?
8.補充說明： ?
PLCC=帶J形引線的塑料芯片載體 ?
QFP=四方扁平封裝 ?
TQFP=薄四方扁平封裝?
另補充ROM/PROM/EPROM/EEPROM/FLASH的區(qū)別
ROM（掩膜)指的是“只讀存儲器”，即Read-Only Memory。這是一種線路最簡單半導體電路，通過掩模工藝， 一次性制 造，其中的代碼與數(shù)據(jù)將永久保存(除非壞掉)，不能進行修改。這玩意一般在大批量生產(chǎn)時才會被用的，優(yōu)點是成本 低、非常低，但是其風險比較大，在產(chǎn)品設(shè)計時，如果調(diào)試不徹底，很容易造成幾千片的費片，行內(nèi)話叫“掩砸了”！ PROM指的是“可編程只讀存儲器”既Programmable Red-Only Memory。這樣的產(chǎn)品只允許寫入一次，所以也被稱 為“一次可編程只讀存儲器”(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。PROM在出廠時，存儲的內(nèi)容全為1，用戶可以 根據(jù)需要將其中的某些單元寫入數(shù)據(jù)0(部分的PROM在出廠時數(shù)據(jù)全為0，則用戶可以將其中的部分單元寫入1)， 以實 現(xiàn)對其“編程”的目的。PROM的典型產(chǎn)品是“雙極性熔絲結(jié)構(gòu)”，如果我們想改寫某些單元，則可以給這些單元通以 足夠大的電流，并維持一定的時間，原先的熔絲即可熔斷，這樣就達到了改寫某些位的效果。另外一類經(jīng)典的PROM為 使用“肖特基二極管”的PROM，出廠時，其中的二極管處于反向截止狀態(tài)，還是用大電流的方法將反相電壓加在“肖 特基二極管”，造成其永久性擊穿即可。 EPROM指的是“可擦寫可編程只讀存儲器”，即Erasable Programmable Read-Only Memory。 它的特點是具有可 擦除功能，擦除后即可進行再編程，但是缺點是擦除需要使用紫外線照射一定的時間。這一類芯片特別容易識別，其 封裝中包含有“石英玻璃窗”，一個編程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干膠紙蓋住， 以防止遭到 陽光直射。 EEPROM指的是“電可擦除可編程只讀存儲器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。 它的最大優(yōu)點是可直接用電信號擦除，也可用電信號寫入。EEPROM不能取代RAM的原應是其工藝復雜， 耗費的門電路 過多，且重編程時間比較長，同時其有效重編程次數(shù)也比較低。 Flash memory指的是“閃存”，所謂“閃存”，它也是一種非易失性的內(nèi)存，屬于EEPROM的改進產(chǎn)品。它的最大 特點是必須按塊(Block)擦除(每個區(qū)塊的大小不定，不同廠家的產(chǎn)品有不同的規(guī)格)， 而EEPROM則可以一次只擦除一 個字節(jié)(Byte)。目前“閃存”被廣泛用在PC機的主板上，用來保存BIOS程序，便于進行程序的升級。其另外一大應用 領(lǐng)域是用來作為硬盤的替代品，具有抗震、速度快、無噪聲、耗電低的優(yōu)點，但是將其用來取代RAM就顯得不合適， 因為RAM需要能夠按字節(jié)改寫，而Flash ROM做不到。
4.TTL與CMOS電平
| ? | 高 | 低 |
| 輸入 | >2.0V | <1.2V |
| 輸出 | >2.4V | <0.8V |
| 輸入 | >0.7Vcc | <0.3Vcc |
| 輸出 | >0.9Vcc | <0.8Vcc |
問題：如果輸入輸出電壓位于中間怎么辦？
答：這個是規(guī)定可允許最小或最大電平，若處于中間將引起混亂。
5.DSP引腳分類：
電源信號；外部存儲器接口信號（XINTF）-用于與外部存儲器連接以拓展DSP的RAM或FLASH空間；ADC模擬輸入信號；通用輸入/輸出（GPIO）或外圍信號；JTAG接口（用于燒錄測試）及其他信號
電源產(chǎn)生電路的電壓：3.3V for FLASH, 1.8V for 內(nèi)核電壓（根據(jù)具體確定）有的內(nèi)核1.8V時主頻135MHz，1.9V時150MHz
6.上拉與下拉電阻（還是不太懂！）
7.在電源設(shè)計時，AGND與DGND由電感連接，電源與地由電容鏈接
電源芯片TPS767D301/D381 ? ?TPS76833
3.3V-5V電平轉(zhuǎn)換芯片（用于提高電壓）SN74ALVC164245
驅(qū)動電路（可用于PWM輸出端提高驅(qū)動能力）74HC245
ADC校準是采用的CJ431基準電壓
芯片的使用電路可由Datasheet查出
ADC的輸入要有保護電路以保證不會產(chǎn)生高于3.3V或低于0V的電壓損壞芯片，常采用鉗位電路
當Internal大于VDD時，D1導通，ADC輸入端Pin的電壓大小為VDD，當Internal小于0V時，D2導通，使得Pin接地即為0.
8.地址總線和數(shù)據(jù)總線的數(shù)量決定可外接存儲器的大小
地址總線AB決定存儲器單元個數(shù)為2的AB次方，數(shù)據(jù)總線DB決定每個單元的寬度為DB位。總大小為2的AB次方乘以DB位
9. 通信線：SCI、CAN、SPI、McBSP（有待研究）
總結(jié)
以上是生活随笔為你收集整理的《手把手教你学DSP》总结1的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。
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