MICROCHIP的PIC16F1519-I/PT中英文简略规格书
PIC16(L)F1516/7/8/9通用,帶有XLP技術的28/40/44針Flash微控制器
本數據表中包含的設備
?pic16f1516
?pic16f1517
pic16f1518 pic16lf1518
?pic16f1519
高性能的RISC CPU
?C編譯器優化架構
?只有49指令
?操作速度:
- dc - 20 MHz時鐘輸入@ 2.5V
- dc - 16mhz時鐘輸入@ 1.8V
- dc - 200 ns指令周期
?中斷能力與自動上下文保存
?16級深層硬件堆棧,可選溢出/下流復位
?直接、間接和相對尋址模式:
兩個全16位文件選擇寄存器(FSRs)
- fsr可以讀取程序和數據存儲器
內存
?高達28kbytes線性程序內存尋址
?高達1024字節的線性數據內存尋址
?High Endurance Flash Data Memory (HEF):
-128B的非易失性數據存儲
?100 k擦除/寫周期
靈活的振蕩器結構
?16 MHz內部振蕩器塊:
-軟件可選擇的頻率范圍從16 MHz到31 kHz
?31 kHz低功率內部振蕩器
?外部振蕩器塊:
-四種晶體/諧振模式高達20 MHz
-三種外部時鐘模式,最高20 MHz
?自動防故障裝置時鐘監控:
-允許安全關閉,如果外圍時鐘停止
?雙速振蕩器啟動
?振蕩器啟動定時器(OST)
模擬功能
?模擬-數字轉換器(ADC):
10位分辨率
多達28個頻道
汽車收購能力
-轉換可在睡眠期間
?基準電壓模塊:
固定電壓參考(FVR)與1.024V, 2.048V和4.096V輸出電平
?溫度指示器
ultra Low-Power (XLP) Management PIC16LF1516/7/8/9 with XLP
?睡眠模式:20 nA @ 1.8V,典型
?看門狗定時器:300na @ 1.8V,典型
?次級振蕩器:600 nA @ 32 kHz
工作電流:30?A/MHz @ 1.8V,典型
特殊的微控制器的功能
?操作電壓范圍:
- 2.3 v - 5.5 v (PIC16F1516/7/8/9)
- 1.8 v - 3.6 v (PIC16LF1516/7/8/9)
在軟件控制下可自行編程
?加電復位(運動)
?升高計時器(PWRT)
?低功率限電復位(lpor)
?擴展看門狗定時器(WDT)
通過兩個引腳的在線串行編程?(ICSP?)
?通過兩個引腳的在線調試(ICD)
?增強的低壓編程(LVP)
?可編程代碼保護
?低功耗睡眠模式
外圍亮點
?多達35個I/O引腳和1個輸入專用引腳:
-高電流接收器/源25 mA/25 mA
-單獨可編程弱引體向上
-單獨可編程中斷更改(IOC)引腳
?Timer0: 8位定時器/計數器與8位預調節器
?增強Timer1:
-16位定時器/計數器與預調節器
-External Gate輸入模式
-低功率32 kHz次級振蕩器驅動器
?Timer2: 8位定時器/計數器與8位周期寄存器,預標器和后標器
?兩個Capture/Compare (CCP)模塊
主同步串行端口(MSSP)與SPI和I2C:
7位地址屏蔽
-SMBus / PMBusTM兼容性
?增強通用同步異步接收發射機(euusart)模塊:
-RS-232, RS-485和LIN兼容
-Auto-Baud檢測
-Auto-wake-up上開始
注1:I -調試,集成在芯片上;調試,可使用調試頭文件。
2:單腳輸入。
數據表索引:(無陰影的設備在本文檔中進行了描述。)
數據表索引:(無陰影的設備在本文檔中進行了描述。)
1: DS40001624 PIC16(L)F1512/13 Data Sheet, 28引腳Flash, 8位微控制器。
2: DS40001452 PIC16(L)F1516/7/8/9 Data Sheet, 28/40/44-Pin Flash, 8位mcu。
3: DS40001458 PIC16(L)F1526/27 Data Sheet, 64-Pin Flash, 8-bit mcu。
圖1:pic16 (l) f1516/1518的28引腳spdip, soic, ssop包裝圖
圖2:pic16 (l) f1516/1518的28針uqfn (4x4)包裝圖
圖3:pic16 (l) f1516/1518的28針QFN (6x6)包裝圖
圖4:pic16 (l) f1517/1519的40引腳pdip封裝圖
圖5:pic16 (l) f1517/1519的40針uqfn (5x5)包裝圖
圖6:pic16 (l) f1517/1519的44針TQFP封裝圖
表1:28/40/44針分配表
1.0設備概述
在此數據中描述了PIC16(L)F1516/7/8/9
表。系統框圖如圖1-1所示
PIC16 (L) F1516/7/8/9設備。表1-2
引出線的描述。
參考表1-1提供的外設
設備。
表1-1:設備外設
總結
圖1-1:pic16 (l) f1516/7/8/9方框圖
?表1-2:pinout描述
圖示:AN =模擬輸入或輸出CMOS= CMOS兼容輸入或輸出OD =開路漏極
TTL = TTL兼容輸入ST =施密特觸發器輸入與CMOS電平I2C =施密特觸發器輸入與I2C
HV =高電壓XTAL =晶體級
注1:外圍引腳位置選擇使用APFCON寄存器(寄存器12-1)。默認的位置。
2:外圍引腳位置選擇使用APFCON寄存器(寄存器12-1)。備用位置。
3: PORTD和RE<2:0>只在PIC16(L)F1517/9上可用。
?表1-2:pinout描述(續)
圖示:AN =模擬輸入或輸出CMOS= CMOS兼容輸入或輸出OD =開路漏極
TTL = TTL兼容輸入ST =施密特觸發器輸入與CMOS電平I2C =施密特觸發器輸入與I2C
HV =高電壓XTAL =晶體級
注1:外圍引腳位置選擇使用APFCON寄存器(寄存器12-1)。默認的位置。
2:外圍引腳位置選擇使用APFCON寄存器(寄存器12-1)。備用位置。
3: PORTD和RE<2:0>只在PIC16(L)F1517/9上可用。
表1-2:pinout描述(續)
圖示:AN =模擬輸入或輸出CMOS= CMOS兼容輸入或輸出OD =開路漏極
TTL = TTL兼容輸入ST =施密特觸發器輸入與CMOS電平I2C =施密特觸發器輸入與I2C
HV =高電壓XTAL =晶體級
注1:外圍引腳位置選擇使用APFCON寄存器(寄存器12-1)。默認的位置。
2:外圍引腳位置選擇使用APFCON寄存器(寄存器12-1)。備用位置。
3: PORTD和RE<2:0>只在PIC16(L)F1517/9上可用。
2.0增強的中端CPU
這個系列的設備包含一個增強的中程
8位CPU核心。CPU有49條指令。中斷
功能包括自動上下文保存。的
硬件棧是16層深,并有溢出和
下溢復位功能。直接、間接、和
有相對尋址模式。兩個文件
選擇寄存器(fsr)提供讀取能力
程序和數據存儲器。
?自動中斷上下文保存
?16級堆疊溢出和下流
?文件選擇寄存器
?指令集
圖2-1:核心框圖
2.1自動中斷
儲蓄
在中斷期間,某些寄存器是自動的
保存在陰影寄存器和恢復時返回
從中斷。這節省了堆棧空間和用戶
代碼。參見第7.5節“自動上下文保存”,
為更多的信息。
2.2 16級堆棧溢出和
下溢
這些設備有一個外部堆棧內存15位
寬,16字深。一個堆棧溢出或流下將設置適當的位(STKOVF或STKUNF)
在PCON寄存器中,如果啟用,將導致軟件復位。請參閱3.6節“堆棧”了解更多細節。
2.3文件選擇寄存器
有兩個16位文件選擇寄存器(FSR)。市場
可以訪問所有的文件寄存器和程序存儲器,
它允許一個數據指針用于所有內存。當一個
FSR指向程序存儲器,還有一個附加的
在指令周期中使用INDF來允許
待獲取的數據。通用記憶現在可以了
也是線性的,提供了能力
訪問大于80字節的連續數據。有
還有支持fsr的新指令。看到
更多細節請參閱3.7節“間接尋址”。
2.4指令集
有49條增強中程的說明
CPU,支持CPU的特性。看到
第24.0節“指令集摘要”了解更多信息
細節。
3.0組織記憶
這些設備包含以下類型的內存:
?程序內存
——配置的話
——設備ID
——用戶ID
- Flash程序內存
?數據存儲器
——核心寄存器
-特殊功能寄存器
-通用內存
——常見的內存
以下特性與訪問和關聯
程序存儲器和數據存儲器的控制:
?PCL和PCLATH
?堆棧
?間接尋址
3.1程序內存組織
增強的中程核心有一個15位程序
計數器能夠尋址一個32K x 14程序
內存空間。內存大小如表3-1所示
為這些設備實現。訪問一個位置
超過這些界限將導致一個環繞內部
實現的內存空間。重置向量是
而中斷向量在0004h(見
圖3-1和圖3-2)。
Flash 3.2高耐用性
這個設備有一個128字節的高耐久段
程序閃存(PFM)代替數據
eepm。這個地區特別適合
預期的非易失性數據存儲
在最終產品的生命周期內經常更新。
參見第11.2節“Flash程序內存”
的詳細信息
烤瓷。參見第3.2.1.2節“用FSR間接讀取”
,以獲取有關使用FSR寄存器的更多信息
讀取存儲在PFM中的字節數據。
?
?
3.2.1讀取程序內存為
數據
中有兩種訪問常量的方法
程序內存。第一種方法是使用表
RETLW指令。第二種方法是設置
指向程序內存的FSR。
3.2.1.1 RETLW指令
可以使用RETLW指令來提供訪問
到常數表。例3-1所示為推薦的cre吃這樣一個表的方法。
?
BRW指令使這種類型的表非常簡單的實現。如果代碼必須保持可移植性
與前幾代的微控制器相比,然后
BRW指令不可用,所以舊的表讀取
方法必須使用。
3.2.1.2 FSR間接讀
程序內存可以作為數據訪問
設置FSRxH寄存器的第7位并讀取
匹配INDFx登記。MOVIW指令會
將尋址詞的下八位放在
W登記。寫入程序內存是不可能的
通過INDF寄存器執行。指令
通過FSR訪問程序內存需要一個
額外的指令周期要完成。例3 - 2
演示通過控件訪問程序內存
身上。
HIGH指令將設置位<7>,如果標簽指向a
程序存儲器中的位置 3.3數據存儲組織
數據內存被劃分為32個內存組
銀行里有128個字節。每行由
(圖3 - 3):
?12核寄存器
?20個特殊函數寄存器(SFR)
?高達80字節的通用RAM (GPR)
?16字節的普通RAM
通過寫銀行號碼來選擇活動銀行
進入銀行選擇登記(BSR)。未實現的
內存將讀取為' 0 '。所有數據均可存儲
直接訪問(通過使用
文件注冊)或間接通過兩個文件選擇
寄存器(FSR)。見第3.7節“間接”
地址是“獲取更多信息”。
數據存儲器使用12位地址。上五位
的地址定義了銀行地址,較低的
7位選擇單個SFR, GPR和普通
銀行的內存位置。 3.3.1核心寄存器
核心寄存器直接包含這些寄存器
影響基本操作。核心寄存器占用
每個數據存儲庫的前12個地址
(地址:x00h/x08h至x0Bh/x8Bh)。這些
表3-2列出了寄存器。的詳細
信息,如表3-7所示。 3.3.1.1狀態寄存器
STATUS寄存器,如寄存器3-1所示,包含:
?ALU的算術狀態
?Reset狀態
STATUS寄存器可以是任何
指令,就像其他寄存器一樣。如果狀態
寄存器是受影響指令的目的地
Z, DC或C位,然后寫入這三個位是
禁用。這些位是根據
設備的邏輯。此外,TO和PD位不是
可寫的。因此,使用的指令的結果
作為目的地的狀態寄存器可能不同于
的意圖。
例如,CLRF STATUS將清除上面三個
位,并設置Z位。這就剩下STATUS寄存器了
如' 000u u1uu '(其中u = unchanged)。
因此,建議只使用BCF、BSF、
SWAPF和MOVWF指令用于修改
狀態寄存器,因為這些指令沒有
影響任何狀態位。對于其他指示,請不要
影響任何狀態位(參見24.0節)
“指令集總結”)。
3.4注冊定義:狀態
注1:C位和DC位操作為Borrow
和Digit Borrow out bits,分別為in
減法。
3.4.1專用函數寄存器
特殊函數寄存器是由
控制所需操作的應用程序
設備中的外圍功能。特殊的功能
的核心寄存器之后占用20個字節
每個數據存儲器(地址為x0Ch/x8Ch
通過x1Fh / x9Fh)。關聯的寄存器
外圍設備的操作在
適當的外圍章節的這一數據表。
3.4.2通用滑塊
在每個數據存儲器中有多達80字節的GPR
銀行。特殊功能寄存器占20個
每個數據存儲器的核心寄存器后面的字節
銀行(地址:x0Ch/x8Ch至x1Fh/x9Fh)。
3.4.2.1 GPR線性訪問
一般用途的RAM可以在
非銀行方法,通過fsr。這可以簡化
訪問大內存結構。參見3.7.2章
“線性數據存儲器”獲取更多信息。
3.4.3常見的內存
有16個字節的公共RAM可從所有
銀行。
?
3.4.4設備內存映射
內存映射為PIC16(L)F1516/7和
PIC16(L)F1518/9如表3-3和
表3 - 4,分別。
?
?
?
?
?
?記下
1.Pin1的視覺索引特征可能會有所不同,但必須位于孵化區域內。 2.§的顯著性特征
3.尺寸D不包括模具閃光燈、突出物或門式毛刺,其中應
每端不超過0.15毫米。尺寸E1不包括鉛間閃光或突出物,每邊不得超過0.25mm。 4.按每臺ASMEY14.5M計算的尺寸和公差
BSC;基本尺寸。理論上精確的值顯示,沒有公差。
參考文獻:參考尺寸,通常沒有公差,僅供參考使用。 5.基準A和B將在基準H中確定。
?
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?在具體調試過程中,我們會遇到各種奇怪的顯示異常,需要具體情況具體分析。本人調試PIC16F1519-I/PT也有9年多了,基本上沒有解決不了的問題。如有疑問,歡迎大家加Q?1547237878 ? Tel 18620382326?
?
?
?
總結
以上是生活随笔為你收集整理的MICROCHIP的PIC16F1519-I/PT中英文简略规格书的全部內容,希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。
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