在半導體技術上，日本在上世紀80年曾是全球第一，還最早發明了NAND閃存，如今日本半導體行業已經下滑，雖然在閃存芯片、制造設備等領域還有競爭力，但最先進的邏輯工藝僅40nm左右，已經落后于中國。

日本半導體衰落跟美國當年的打壓以及刻意扶植韓國等因素有關，當年Intel退出內存芯片領域也是跟日本公司的競爭有關，不過現在的形勢變了，日本在先進工藝上已經跟美國展開了合作，試圖在未來幾年量產2nm工藝。

據日本媒體報道，日本與美國在半導體領域已經達成了合作，美國國立研究機構和日本的大學計劃在日本國內成立聯盟，Intel以及IBM公司也有可能參與其中，他們提供技術平臺，與日本的半導體設備及材料公司聯合開發可以用于數據中心及汽車自動駕駛等行業的先進技術。

此前的消息稱，日本與美國計劃在2025年左右量產2nm工藝，這將是世界上最先進的工藝，屆時不輸臺積電、三星或者Intel公司的工藝水平。

總結

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