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国产闪存跳级式发展:明年追上232层 与三星技术差距只有1年

發布時間:2023/12/13 综合教程 38 生活家
生活随笔 收集整理的這篇文章主要介紹了 国产闪存跳级式发展:明年追上232层 与三星技术差距只有1年 小編覺得挺不錯的,現在分享給大家,幫大家做個參考.

昨晚美光公司宣布量產了232層閃存,這是全球首個突破200層的閃存,是目前速度最快、密度最高的TLC閃存,接下來三星、愷俠、西數、SK海力士的200+層閃存也會陸續量產。

在閃存行業,國內的廠商長江存儲也在奮起追趕,而且他們采取的策略不同,是跳級式發展,中間會越過一些過渡性的閃存,量產64層閃存之后就進入了128層,跳過了中間的96層閃存。

目前長江存儲生產的閃存主力是128層,今年下半年將進一步提升到192層,200+層以上的閃存也在開發中,最快2023年底就能看到232層閃存,慢一點的話也會在2024年搞定。

如果明年看到國產的232層閃存,那意味著從技術上來說國產閃存與三星、美光、SK海力士等公司的差距只有1年左右,提升的非常快。

當然,技術差距縮短是一方面,國產閃存目前主要的問題還是產能不足,全球份額也就5%左右,三星的份額超過35%,愷俠、收購Intel閃存業務的SK海力士兩家大約也在20%上下,未來幾年中提升產能、搶占市場份額依然是國產閃存努力的方向。

總結

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