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ASML拒绝新一代EUV光刻机跳票:找到日本巨头技术驰援

發(fā)布時間:2023/11/24 综合教程 30 生活家
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日前傳出ASML新一代光刻機EXE:5000跳票到2025年之后的消息,但似乎荷蘭人已經(jīng)找到幫手幫自己提速。

日本最大半導(dǎo)體成膜、蝕刻設(shè)備公司東京電子(東京威力科創(chuàng),Tokyo Electron)宣布,將在鍍膜/顯影技術(shù)上與ASML合作,以聯(lián)合推進其下一代NA EUV光刻機的研制,確保2023年投入運行。

據(jù)悉,參與該EUV光刻機研發(fā)的還有IMEC,即位于比利時的歐洲微電子中心。

東京電子表示,自旋金屬抗蝕劑已顯示出高分辨率和高蝕刻電阻,并有望使圖案更加精細。然而,含有金屬的抗蝕劑也需要復(fù)雜的圖案尺寸控制以及對晶片背面/斜面金屬污染的較好控制。為了應(yīng)對這些挑戰(zhàn),涂層/開發(fā)人員正在聯(lián)合高NA實驗室安裝先進的工藝模塊,能夠處理含金屬的抗蝕劑。

有觀點將當(dāng)前ASML已經(jīng)出貨的NXE:3400B/3400C乃至年底的3600D稱作第一代EUV光刻機,依據(jù)是物鏡的NA(數(shù)值孔徑)為0.33,所謂下一代也就是第二代的NA提升到0.55。0.55NA比0.33NA有著太多優(yōu)勢,包括更高的對比度、圖形曝光更低的成本、更高的生產(chǎn)效率等。

EXE:5000之后還有EXE:5200,它們將是2nm、1nm的主要依托。

總結(jié)

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