20155222盧梓杰 課堂測(cè)試ch06補(bǔ)做

• 1.下面代碼中，對(duì)數(shù)組x填充后，采用直接映射高速緩存，所有對(duì)x和y引用的命中率為（）
  
  A . 1
  B . 1/4
  C . 1/2
  D . 3/4
  正確答案： D
  解析：在x結(jié)尾加了填充，x[i]和y[i]映射到了不同分組，消除了抖動(dòng)沖突不命中，因此3/4的引用是命中的。

• 2.有關(guān)高速緩存的說(shuō)法正確的是（）
  A . 高速緩存的容量可以用C=SEB 來(lái)計(jì)算
  B . 高速緩存容量為2048，高速緩存結(jié)構(gòu)為（ 32 ，8，8，32）
  C . 直接映射高速緩存要：組選擇、行匹配、字抽取
  D . 當(dāng)程序訪問(wèn)大小為2的冪的數(shù)組時(shí)，直接映射高帶緩存中常發(fā)生沖突不命中
  正確答案： A C D

• 3.The following table gives the parameters for a number of different caches. For each cache, determine the number of cache sets (S), tag bits (t), set index bits (s),and block offset bits (b)
  
  A . 第三行S為1
  B . 第一行t為24
  C . 第二行b為5
  D . 第三行s的值為0
  正確答案： A C D
  解析：這是對(duì)各種高速緩存參數(shù)定義的直接引用。

• 4.有關(guān)緩存的說(shuō)法，正確的是（）
  A . LRU策略指的是替換策略的緩存會(huì)選擇最后被訪問(wèn)時(shí)間距現(xiàn)在最遠(yuǎn)的塊
  B . 不同層之間以字節(jié)為傳送單元來(lái)回復(fù)制
  C . 緩存不命時(shí)，決定哪個(gè)塊是犧牲塊由替換策略來(lái)控制
  D . 空緩存的不命中叫沖突不命中
  正確答案： A C
  解析：不同層之間以塊為傳送單元來(lái)回復(fù)制，空緩存的不命中叫強(qiáng)制性不命中或冷不命中，使用限制性的放置策略引起的不命中稱為沖突不命中。

• 5.下面說(shuō)法正確的是（）
  
  A . 存儲(chǔ)層次結(jié)構(gòu)中最小的緩存是寄存器
  B . 存儲(chǔ)層次結(jié)構(gòu)的中心思想是每一層都緩存來(lái)自較低一層的數(shù)據(jù)對(duì)象
  C . L4主存可以看作是L5：本地磁盤的緩存
  D . L4主存可以看作是L6的緩存
  正確答案： A B C
  解析：存儲(chǔ)器只能視相鄰的上一級(jí)的存儲(chǔ)器作為緩存。

• 6.下面代碼的步長(zhǎng)是（）
  
  A . 1
  B . N
  C . NN
  D . NN*N
  正確答案： C
  解析：將循環(huán)順序改為k-i-j即可將步長(zhǎng)改為1。

• 7.下面代碼中（）局部性最差
  1 #define N 1000
  2 3
  typedef struct {
  4 int vel[3];
  5 int acc[3];
  6 } point;
  7 8
  point p[N];
  A .
  1 void clear1(point p, int n)
  2 {
  3 int i, j;
  4 5
  for (i = 0; i < n; i++) {
  6 for (j = 0; j < 3; j++)
  7 p[i].vel[j] = 0;
  8 for (j = 0; j < 3; j++)
  9 p[i].acc[j] = 0;
  10 }
  11 }
  B .
  1 void clear2(point p, int n)
  2 {
  3 int i, j;
  4 5
  for (i = 0; i < n; i++) {
  6 for (j = 0; j < 3; j++) {
  7 p[i].vel[j] = 0;
  8 p[i].acc[j] = 0;
  9 }
  10 }
  11 }
  C .
  1 void clear3(point *p, int n)
  2 {
  3 int i, j;
  4 5
  for (j = 0; j < 3; j++) {
  6 for (i = 0; i < n; i++)
  7 p[i].vel[j] = 0;
  8 for (i = 0; i < n; i++)
  9 p[i].acc[j] = 0;
  10 }
  11 }
  D .
  不確定
  正確答案： C
  解析：C中的代碼按照列的順序掃描兩個(gè)數(shù)組。

• 8.程序中（）語(yǔ)句具有良好的局部性
  A . 順序
  B . 分支
  C . 循環(huán)
  D . 以上都是
  正確答案： C
  解析：順序引用模式步長(zhǎng)為1。

• 9.下面代碼，（）具有差的空間局部性。
  A .
  1 int sumvec(int v[N])
  2 {
  3 int i, sum = 0;
  4
  5 for (i = 0; i < N; i++)
  6 sum += v[i];
  7 return sum;
  8 }
  B .
  1 int sumarrayrows(int a[M][N])
  2 {
  3 int i, j, sum = 0;
  4 5
  for (i = 0; i < M; i++)
  6 for (j = 0; j < N; j++)
  7 sum += a[i][j];
  8 return sum;
  9 }
  C .
  1 int sumarraycols(int a[M][N])
  2 {
  3 int i, j, sum = 0;
  4 5
  for (j = 0; j < N; j++)
  6 for (i = 0; i < M; i++)
  7 sum += a[i][j];
  8 return sum;
  9 }
  D .
  以上都不對(duì)
  正確答案： C
  解析：C中代碼按照列順序掃描數(shù)組，步長(zhǎng)為N。

• 10.有關(guān)局部性原理，說(shuō)法正確的是（）
  A . 程序訪問(wèn)一個(gè)向量，步長(zhǎng)越小或短，空間局部性越好
  B . 局部性有兩種形式：空間局部性，時(shí)間局部性
  C . 程序訪問(wèn)一個(gè)向量，步長(zhǎng)越大空間局部性越好。
  D . 硬件、OS，應(yīng)用程序都會(huì)用到局部性原理
  正確答案： A B D
  解析：一個(gè)編寫良好的計(jì)算機(jī)程序常常具有良好的局部性。也就是，他們傾向于引用鄰近于其他最近引用過(guò)的數(shù)據(jù)項(xiàng)的數(shù)據(jù)項(xiàng)，或者最近飲用過(guò)的數(shù)據(jù)項(xiàng)本身。這種傾向性，被稱為局部性原理，是一個(gè)持久的概念，對(duì)硬件和軟件系統(tǒng)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和性能都具有極大影響。

• 11.下面說(shuō)法正確的是（）
  A . CPU通過(guò)內(nèi)存映射I/O向I/O設(shè)備發(fā)命令
  B . DMA傳送不需要CPU的干涉
  C . SSD是一種基于閃存或Flash的存儲(chǔ)技術(shù)
  D . 邏輯磁盤塊的邏輯塊號(hào)可以翻譯成一個(gè)（盤面，磁道，扇區(qū) ）三元組。
  正確答案： A B C D

• 12.下面（）是I/O總線
  A . USB
  B . PCI
  C . 網(wǎng)卡
  D . 圖形卡
  正確答案： B
  解析：例如圖形卡，監(jiān)視器，鼠標(biāo)，鍵盤和磁盤這樣的I/O設(shè)備，都是通過(guò)總線，例如Intel的外圍互聯(lián)設(shè)備PCI總線連接到CPU和主存的。

• 13.圖中磁盤一個(gè)扇區(qū)的訪問(wèn)時(shí)間約為（）ms
  A . 10
  B . 5
  C . 6
  D . 8
  E . 12
  正確答案： A

• 14.有關(guān)磁盤操作，說(shuō)法正確的是（）
  A . 對(duì)磁盤扇區(qū)的訪問(wèn)時(shí)間包括三個(gè)部分中，傳送時(shí)間最小。
  B . 磁盤以字節(jié)為單位讀寫數(shù)據(jù)
  C . 磁盤以扇區(qū)為單位讀寫數(shù)據(jù)
  D . 讀寫頭總處于同一柱面
  正確答案： A C D
  解析：一次尋道最大時(shí)間為9ms，旋轉(zhuǎn)時(shí)間約為4ms,傳送時(shí)間約為0.02ms。

• 15.計(jì)算下面磁盤的容量（）：4個(gè)盤片，100000個(gè)柱面，每條磁道400個(gè)扇區(qū)，每個(gè)扇區(qū)512個(gè)字節(jié)
  A . 81.92GB
  B . 40.96GB
  C . 163.84
  D . 327.68GB
  正確答案： C
  解析：5124004210 0000/1 000 000 000=163.84

• 16.有關(guān)磁盤，說(shuō)法正確的是（）
  A . 磁盤的讀取時(shí)間為毫秒級(jí)
  B . 每張磁盤有一個(gè)表面
  C . 表面由磁道組成
  D . 每個(gè)扇區(qū)的面積不同，包含的數(shù)據(jù)位的數(shù)量也不一樣
  正確答案： A C
  解析：每張盤片有兩個(gè)表面，每個(gè)扇區(qū)包含相等量的數(shù)據(jù)位。

• 17.根據(jù)攜帶信號(hào)不同，總線可分為（）
  A . 系統(tǒng)總線
  B . 數(shù)據(jù)總線
  C . 內(nèi)存總線
  D . 地址總線
  E . 控制總線
  正確答案： B D E
  解析：總線是一組并行的導(dǎo)線，能攜帶地址、數(shù)據(jù)和控制信號(hào)。

• 18.關(guān)于非易失性存儲(chǔ)器，下面說(shuō)法正確的是（）
  A . DRAM是非易失性存儲(chǔ)器
  B . SRAM是非易失性存儲(chǔ)器
  C . PROM只能編程一次
  D . EEPROM可以用紫外線進(jìn)行擦除
  E . 存在ROM中的程序通常被稱為固件
  正確答案： C E
  解析：如果斷電，DRAM和SRAM會(huì)丟失他們的信息，所以他們是易失的。EPROM可以用紫外線進(jìn)行擦除，EEPROM不需要一個(gè)物理上獨(dú)立的編程設(shè)備，因此可以直接在印刷電路卡上編程。

• 19.通過(guò)使用兩個(gè)時(shí)鐘沿作為控制信號(hào)，對(duì)DRAM進(jìn)行增強(qiáng)的是（）
  A . FPM DAM
  B . SDRAM
  C . DDR SDRAM
  D . VRAM
  E . EDO DRAM
  正確答案： C
  解析：DDRAM是對(duì)SDRAM的一種增強(qiáng)，他通過(guò)使用兩個(gè)時(shí)鐘沿作為控制信號(hào)，從而使DRAM的速度翻倍。

• 20.有關(guān)RAM的說(shuō)法，正確的是（）
  A . SRAM和DRAM掉電后均無(wú)法保存里面的內(nèi)容。
  B . DRAM將一個(gè)bit存在一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)的存儲(chǔ)單元中
  C . 一般來(lái)說(shuō)，SRAM比DRAM快
  D . SRAM常用來(lái)作高速緩存
  E . DRAM將每一個(gè)bit存儲(chǔ)為對(duì)一個(gè)電容充電
  F . SRAM需要不斷刷新
  G . DRAM被組織為二維數(shù)組而不是線性數(shù)組
  正確答案： A C D E G
  解析：SRAM將一個(gè)bit存在一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)的存儲(chǔ)單元中,DRAM需要不斷刷新.

• 21.有關(guān)計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)，下面說(shuō)法正確的是（）
  A . 程序具有良好的局部性表現(xiàn)在傾向于從存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)中的較低層次處訪問(wèn)數(shù)據(jù)，這樣節(jié)省時(shí)間
  B . 存儲(chǔ)層次涉用不同容量，成本，訪問(wèn)時(shí)間的存儲(chǔ)設(shè)備
  C . 存儲(chǔ)層次設(shè)計(jì)基于局部性原理
  D . “存儲(chǔ)山”是時(shí)間局部性和空間局部性的函數(shù)
  正確答案： B C D
  解析：程序具有良好的局部性表現(xiàn)在傾向于從存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)中的較高層次處訪問(wèn)數(shù)據(jù)。

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總結(jié)

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