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编程问答

UA OPTI501 电磁波8 麦克斯韦方程边界条件的推导

發(fā)布時間:2025/4/14 编程问答 32 豆豆
生活随笔 收集整理的這篇文章主要介紹了 UA OPTI501 电磁波8 麦克斯韦方程边界条件的推导 小編覺得挺不錯的,現(xiàn)在分享給大家,幫大家做個參考.

UA OPTI501 電磁波8 習題課:麥克斯韋方程邊界條件的推導

    • 邊界條件的含義
    • 用Maxwell方程推導邊界條件

Maxwell Macroscopic Equations:
??D=ρfree?×H=Jfree+??tD?×E=???B??B=0\nabla \cdot \textbf D = \rho_{free} \\ \nabla \times \textbf H = \textbf J_{free}+ \frac{\partial}{\partial t}\textbf D \\ \nabla \times \textbf E = -\frac{\partial}{\partial }\textbf B \\ \nabla \cdot \textbf B = 0??D=ρfree??×H=Jfree?+?t??D?×E=????B??B=0

其中
ρtotal=ρfree???PJtotal=Jfree+??tP+1μ0?×M\rho_{total}=\rho_{free}-\nabla \cdot \textbf P \\ \textbf J_{total}=\textbf J_{free}+\frac{\partial}{\partial t} \textbf P +\frac{1}{\mu_0}\nabla \times \textbf Mρtotal?=ρfree????PJtotal?=Jfree?+?t??P+μ0?1??×M

邊界條件的含義


假設(shè)空間中存在兩種介質(zhì),這兩種介質(zhì)將區(qū)域分割為兩部分,介質(zhì)1對應區(qū)域就用下標1區(qū)分,介質(zhì)2對應區(qū)域就用下標2區(qū)分,如(a)圖所示,假設(shè)立方體中的曲面就是兩種介質(zhì)交界面,在界面上取r0\textbf r_0r0?這一點,過這一點畫一根非常短的線,其中一端進入介質(zhì)1區(qū)域,到達r1\textbf r_1r1?,另一端進入介質(zhì)2區(qū)域,到達r2\textbf r_2r2?,假設(shè)r2?r1\textbf r_2-\textbf r_1r2??r1?是一個非常小的矢量。邊界條件的含義就是尋找E∣∣,H∣∣,D⊥,B⊥\textbf E_{||},\textbf H_{||},\textbf D_{\perp},\textbf B_{\perp}E?,H?,D?,B?r1\textbf r_1r1?點與在r2\textbf r_2r2?點的關(guān)系,其中下標∣∣||表示矢量的平行分量(平行于交界面),⊥\perp表示矢量的垂直分量(垂直于交界面)。根據(jù)邊界條件可以判斷出電磁場經(jīng)過介質(zhì)交界面時是否是連續(xù)變化的。

另外(b)圖是用Maxwell方程推導邊界條件的重要輔助圖,對于場的散度,可以用一個非常小的柱體面作為高斯面,用高斯定理進行推導;對于場的散度,可以用一個非常小矩形作為安培環(huán)路,用Stokes公式進行推導。

用Maxwell方程推導邊界條件

電位移的邊界條件
使用Maxwell方程1:
??D=ρfree\nabla \cdot \textbf D = \rho_{free}??D=ρfree?

這是關(guān)于場的散度的,所以我們用能包圍r0\textbf r_0r0?的非常小的柱體面作為高斯面,并且這個柱體面上下底與r2?r1\textbf r_2 - \textbf r_1r2??r1?平行,r1\textbf r_1r1?位于下底面,r2\textbf r_2r2?位于上底面,對這個柱體使用Gauss定理,并假設(shè)柱體的高小到可以忽略不計,則電位移的平行分量不會貢獻通量,所以有
∫V??DdV=∮SD?n^dS=D⊥(r2,t)S底面?D⊥(r1,t)S底面\int_V \nabla \cdot \textbf D dV= \oint_S \textbf D \cdot \hat n dS = \textbf D_{\perp}(\textbf r_2,t)S_{底面}-\textbf D_{\perp}(\textbf r_1,t)S_{底面}V???DdV=S?D?n^dS=D?(r2?,t)S??D?(r1?,t)S?

而且
∫VρfreedV=σfree(r0,t)S底面\int_V \rho_{free} dV = \sigma_{free}(\textbf r_0,t)S_{底面}V?ρfree?dV=σfree?(r0?,t)S?

綜上,
D⊥(r2,t)?D⊥(r1,t)=σfree(r0,t)\textbf D_{\perp}(\textbf r_2,t)-\textbf D_{\perp}(\textbf r_1,t)= \sigma_{free}(\textbf r_0,t)D?(r2?,t)?D?(r1?,t)=σfree?(r0?,t)

也就是說,當電磁場經(jīng)過介質(zhì)交界面時,位于界面上的電荷發(fā)生電極化現(xiàn)象,使經(jīng)過界面后電位移的垂直分量以界面電荷面密度的大小發(fā)生躍變。

磁場的邊界條件
使用Maxwell方程2,
?×H=Jfree+??tD\nabla \times \textbf H = \textbf J_{free}+\frac{\partial}{\partial t}\textbf D?×H=Jfree?+?t??D

這是關(guān)于場的旋度的,所以我們用能包圍r0\textbf r_0r0?的非常小的矩形作為輔助環(huán)路,并且這個矩形上下長邊與r2?r1\textbf r_2 - \textbf r_1r2??r1?平行,r1\textbf r_1r1?位于下長邊,r2\textbf r_2r2?位于上長邊,矩形的外法線為n^=r2?r1∣r2?r1∣\hat n = \frac{\textbf r_2 - \textbf r_1}{|\textbf r_2 - \textbf r_1|}n^=r2??r1?r2??r1??對這個矩形使用Stokes定理,并假設(shè)矩形的短邊小到可以忽略不計,從而使磁場的垂直分量不起作用,則
∫S?×H?n^dS=∮LH?dL=H∣∣(r2,t)L長邊?H∣∣(r1)L長邊=Jfree(r0,t)×n^L長邊\int_S \nabla \times \textbf H \cdot \hat n dS = \oint_L \textbf H \cdot d \textbf L = \textbf H_{||}(\textbf r_2,t)L_{長邊}-\textbf H_{||}(\textbf r_1) L_{長邊} \\ = \textbf J_{free}(\textbf r_0,t) \times \hat nL_{長邊}S??×H?n^dS=L?H?dL=H?(r2?,t)L??H?(r1?)L?=Jfree?(r0?,t)×n^L?

所以
H∣∣(r2,t)?H∣∣(r1)=Jfree(r0,t)×n^\textbf H_{||}(\textbf r_2,t)-\textbf H_{||}(\textbf r_1) = \textbf J_{free}(\textbf r_0,t) \times \hat nH?(r2?,t)?H?(r1?)=Jfree?(r0?,t)×n^

這個關(guān)系直接用安培定律也可以得到,方法可以參考UA PHYS515A 電磁理論III 靜磁學問題3 靜磁學問題的邊界條件與標量勢方法的應用。

電場的邊界條件

用Maxwell方程3,方法與第二個類似,結(jié)論為
E∣∣(r2,t)?E∣∣(r1,t)=0\textbf E_{||}(\textbf r_2,t)-\textbf E_{||}(\textbf r_1 ,t) = 0E?(r2?,t)?E?(r1?,t)=0

磁感應強度的邊界條件
用Maxwell方程4,方法與第一個類似,結(jié)論為
B⊥(r2,t)?B⊥(r1,t)=0\textbf B_{\perp}(\textbf r_2,t)-\textbf B_{\perp}(\textbf r_1,t)=0B?(r2?,t)?B?(r1?,t)=0

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的UA OPTI501 电磁波8 麦克斯韦方程边界条件的推导的全部內(nèi)容,希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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