计组之存储系统:4、双口RAM和多模块存储器(存取周期、双端口RAM、多体并行存储器、存储体)
4、雙口RAM和多模塊存儲(chǔ)器
- 思維導(dǎo)圖
- 存取周期
- 雙端口RAM(解決問(wèn)題1)
- 多體并行存儲(chǔ)器(解決問(wèn)題二)
- 取幾個(gè)存儲(chǔ)體合適呢?
- 單體多字存儲(chǔ)器
思維導(dǎo)圖
存取周期
1、存取周期 = 存取時(shí)間 + 恢復(fù)時(shí)間
2、DRAM芯片的恢復(fù)時(shí)間可能是存取時(shí)間的幾倍
3、在恢復(fù)時(shí)間期間,CPU不可以訪問(wèn)主存
4、倆個(gè)問(wèn)題:
問(wèn)題一:多核CPU都要訪存,怎么辦?
問(wèn)題二:CPU的讀寫(xiě)速度比主存快很多,主存恢復(fù)時(shí)間太長(zhǎng)怎么辦?
雙端口RAM(解決問(wèn)題1)
多體并行存儲(chǔ)器(解決問(wèn)題二)
1、連續(xù)訪問(wèn):在實(shí)際運(yùn)用中,大多數(shù)地址訪問(wèn)方式是連續(xù)的
2、當(dāng)采用高位交叉編址,且地址連續(xù)訪問(wèn)時(shí),由于連續(xù)訪問(wèn)中是訪問(wèn)同一個(gè)存儲(chǔ)體,而同一個(gè)存儲(chǔ)體由于恢復(fù)時(shí)間的原因又不能連續(xù)訪問(wèn);所以這種方式并不會(huì)提高訪問(wèn)主存的效率,只是擴(kuò)容的作用;如圖所示,訪問(wèn)5個(gè)存儲(chǔ)單一要5T的時(shí)間
3、當(dāng)采用低位交叉編址,且地址連續(xù)訪問(wèn)時(shí),由于連續(xù)訪問(wèn)中是訪問(wèn)不同的存儲(chǔ)體,所以在訪問(wèn)第一個(gè)存儲(chǔ)體后可以不用等待恢復(fù)時(shí)間直接訪問(wèn)第二個(gè)存儲(chǔ)體,所以訪問(wèn)主存的效率大大提高。如圖所示,連續(xù)取n個(gè)存儲(chǔ)字耗時(shí)T+(n-1)r(流水線)。
取幾個(gè)存儲(chǔ)體合適呢?
1、取T = 4r,當(dāng)存儲(chǔ)體取3個(gè)時(shí)(m<T/r),當(dāng)3塊存儲(chǔ)體訪問(wèn)一遍后本應(yīng)該接著訪問(wèn)一號(hào)存儲(chǔ)體,但是由于一號(hào)存儲(chǔ)體需要3r的恢復(fù)時(shí)間;所以在第三塊存儲(chǔ)體訪問(wèn)完成后需要等待一段時(shí)間(第一塊剩余的恢復(fù)時(shí)間),然后才能繼續(xù)訪問(wèn)一號(hào)存儲(chǔ)體。
2、T = 4r,當(dāng)存儲(chǔ)體取5個(gè)時(shí)(m>T/r),當(dāng)訪問(wèn)完成4號(hào)存儲(chǔ)體后,1號(hào)存儲(chǔ)體已經(jīng)過(guò)了恢復(fù)時(shí)間,但是你要接著訪問(wèn)5號(hào)存儲(chǔ)體,所以,一號(hào)存儲(chǔ)體就會(huì)被閑置一段時(shí)間。
3、最優(yōu):T = 4r,當(dāng)存儲(chǔ)體取4個(gè)時(shí)(m=T/r),性能最優(yōu)
單體多字存儲(chǔ)器
總結(jié)
以上是生活随笔為你收集整理的计组之存储系统:4、双口RAM和多模块存储器(存取周期、双端口RAM、多体并行存储器、存储体)的全部?jī)?nèi)容,希望文章能夠幫你解決所遇到的問(wèn)題。
- 上一篇: 自定义View相关
- 下一篇: 数据结构之串:串的模式匹配