日前，，全球首家突破200層，已經(jīng)投入量產(chǎn)。

新閃存走的還是TLC，首次引入6個平面，存儲密度創(chuàng)新高14.6Gb/mm2，2.4GB/s IO速度提升50％，讀取帶寬提升785％，寫入帶寬提升10％，封裝面積減小28％，還首發(fā)支持NVLPDDR4內(nèi)存。

不過只過了兩天，韓國閃存巨頭SK海力士就宣布，計劃今年內(nèi)試產(chǎn)238層的NAND閃存，并在明年上半年量產(chǎn)，比美光多了6層。

SK海力士沒有透露238層閃存的技術(shù)細節(jié)，只是說各家的技術(shù)路線圖、產(chǎn)品發(fā)布節(jié)奏不同，SK海力士的首要目標是實現(xiàn)行業(yè)最高的盈利水平。

另外，SK海力士計劃今年將176層閃存的出貨比例提高到70％，并進一步提升毛利率。

國際巨頭你追我趕，國產(chǎn)閃存也沒停下。

但何時量產(chǎn)尚無明確時間表，有說法稱今年底就可以，還有的說快則2023年底慢則2024年。

果真如此的話，國產(chǎn)閃存與國際最先進水平的差距，也就一年多點。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的SK海力士冲击238层闪存：国产只差区区6层的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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